报告发布方：中金企信国际咨询《2024-2030年硅基OLED行业市场全景调研分析及竞争战略可行性评估报告》

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（1）MLED（Mini LED 和 Micro LED）行业基本概述：Mini LED（Mini Light-Emitting Diode，次毫米发光二极管）的芯片尺寸介于50~200 微米，LED 点间距在 0.1~1mm 之间，既可以直接用于 RGB 显示，也可以用于 LCD 的背光模组。Mini LED 采用直下式背光方式，可以看作普通 LCD屏幕的升级版，其将传统 LED 背光灯珠缩小，从而实现更为精细、密集的背光分区，配合 Local Dimming 的控制，提高亮度以及对比度，提升视觉感观。在相同条件下，Mini LED 不仅解决了 OLED 容易烧屏的问题，而且其成本低于 OLED，在提升画面的同时，又具备成本优势。当前 Mini LED 已进入爆发期，苹果、三星等多家品牌厂商都已开始推出相关产品。

在生产设备方面，Mini LED 可使用大部分传统 LED 生产设备进行生产。Mini LED 在生产流程上与 Micro LED 类似，但通常不涉及巨量转移。

Mini LED 生产流程分析

Micro LED（Micro Light-Emitting Diode，微米发光二极管）的芯片尺寸小于50 微米，LED 点间距在 0.1mm 以下，是在一个芯片上高密度集成的微小尺寸 LED阵列。该技术将传统的 LED 阵列微小化，每一个像素点均可以被独立定位、单独驱动发光。Micro LED 可提供极高的色饱和度，通常大于 120%NTSC，与目前OLED 所能提供的色域几乎一致，同时由于 LED 具备无机物稳定性，Micro LED可在较长使用时间下保持色彩的一致性与稳定性。

此外，Micro LED 在光电转换效率、亮度、使用寿命等方面均优于 Mini LED、Micro OLED，且正在逐渐攻克前期的磊晶技术瓶颈、巨量转移良率、封装测试问题，不断完善后续的检测、维修等环节。基于此，国内外厂商已陆续发布 Micro LED 智能眼镜或相关概念产品。Mini LED的颗粒尺寸在50~200μm之间，Micro LED的颗粒尺寸小于50μm，这要求检测设备的视觉更加精细，AOI 镜头需要达到微米级的分辨率才能够拍清楚每颗 LED 芯片的细节。同时，单块 Mini LED 板上的 LED 芯片数量往往是万级甚至十万级，在 Micro LED 板上更是达到百万级甚至千万级，这不仅要求检测设备在硬件上配置更高像素的相机以保证视野面积，确保检测速度与产线速度相匹配，并且也对检测设备的算法及软件提出了高要求。此外，点亮测试也是AOI 检测不可或缺的环节。总的来说，Mini/Micro LED 拥有更小的芯片尺寸，要求检测设备具备更高的分辨率、偏移检测能力以及重复精度；更薄的厚度，要求检测设备具备更高的还原精度；庞大的芯片数量，要求检测设备具备更好的软硬件能力。

（3）Micro OLED 行业现状：Micro OLED（又称硅基 OLED）是一种在单晶硅片上制备主动发光型 OLED器件的新型显示技术。Micro OLED 在两个电极之间使用有机发光材料，电流流经时会发出单色光，再透过滤光片生成需要的颜色。不同于传统 OLED 以玻璃为基板，Micro OLED 采用单晶硅晶圆为基板，其利用现有成熟的集成电路 CMOS工艺，可将像素阵列、驱动电路和信号处理电路集成在同一块芯片上。Micro OLED 可以在维持相近分辨率水平的基础上显示面积更小的 OLED，该特性使其更容易实现高 PPI（像素密度），同时也让显示器具备厚度薄、质量轻、功耗低、发光效率高等特性。Micro OLED 早期应用于军用领域，随着技术逐渐成熟开始延伸至民用消费市场，尤其以苹果为代表的大厂通过 Micro OLED 技术路线切入AR/VR 市场，使其产业化进程进一步加速，目前 Micro OLED 已具备初步量产能力。

目前 Micro OLED 主要是外购半成品硅片，制作工序主要包括阳极像素点制备、有机发光层制备、彩色过滤层制备以及分色绑定芯片成模组。Micro OLED 与传统 OLED 在材料和生产工艺上存在较大差异，这对光学特性、温度特性、显示特性等方面的检测提出了新要求，需要检测设备具备超高像素检测密度、高速检测信号传输、精密温度控制等多方面的技术能力。同时，由于 Micro OLED 在生产过程中加入了半导体工艺，这就要求检测设备具备半导体工艺检测能力。

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