IC封装细分市场占比及全景战略研究预测

（1）手机IC封装市场：Sip最大的应用领域仍是集中在手机的部分，尤其是智能型手机里，包括RF端功率放大器、Switch、Transceiver…等各模组的应用，而基频部分的数位及类比基频，也有厂商利用多芯片的方式封装，甚至有些厂商会将记忆体也一并整合进去，另外手机的内嵌记忆体也是各家大厂竞逐的重要商机，至于WLAN、Bluetooth、Camera…等各种模组，也都是促使手机成为各大sip应用市场的主因。未来当手机附加功能愈趋复杂，厂商为了达到手机轻、薄、短、小、多、省、廉、快的目的，采用后段芯片整合的方法，将是未来可预见的主要趋势。
（2）手机基频封装：联发科取得全球第一的幕后英雄毫无疑问是山寨机，也就是白牌（greybrand）机。
据中金企信国际咨询公布的‍‍《2020-2026年中国IC封装市场发展策略及投资潜力可行性预测报告》‍‍统计数据显示：中国的白牌手机服务全球，它们能够迅速改变设计来应对全球各个市场的需求，具备极高效率，同时广东完善的手机产业链也使其具备无可比拟的成本竞争力。在联发科的总出货中，白牌和品牌的比例大约为6:4，而增长动力来自白牌。

Broadcom在2010年也是收获的一年，诺基亚低端产品大量使用Broadcom的基频，国内也有客户使用。2009年与高通的官司获胜也让Broadcom获得近7亿美元巨额赔偿。Broadcom的不足之处在于其产品线太长，对手机领域的投入力量被分散了，耕耘多年，收获不多。
德州仪器显得失落，手机基频已经不是其核心业务，但毕竟和诺基亚合作多年，出货量还是很大。RAPUYAMA在2010年也大量出货，德州仪器基频业务依然能维持15亿美元的收入。
ST-ERICSSON也在下滑，且连续亏损，三家合并的成效并不明显，智能手机领域产品缺失，应用处理器本来很优秀，后来也退出了。
中高端领域，大客户LG和三星都加大了对英飞凌的采购力度，尤其是LG。低端领域，诺基亚加大了对Broadcom和英飞凌的依赖程度。TD-SCDMA是其最大亮点，但受到来自联发科的挑战。
Marvell产品性能一流，就是价格太高，好在有大客户RIM支持。飞思卡尔仍然和诺基亚与摩托罗拉有业务往来，与诺基亚联合开发的RAPIDOYAWE还是诺基亚的旗舰。展讯则受益联发科转型，出货量大增。
最稳固的是高通，销售额是第二名联发科的两倍还多，并且在3G、4G各个领域都是绝对的第一位，智能手机领域也是异常强大。
（3）智能手机处理器产业与封装：在召开的2014北京微电子国际研讨会高峰论坛上，获悉，展讯通信的新一代3G智能手机平台主芯片，采用长电科技的12英寸晶圆铜凸块制程，精细间距倒装键合，以及塑封直接填充先进封装工艺，成功实现了多芯片fcCSP封装测试量产;同时该芯片也采用了中芯国际的12英寸晶圆、40纳米节点低介电常数工艺技术进行加工制造。长电科技副总裁梁新夫表示，这标志着中国大陆已经打通了智能手机芯片产业链的各个环节，集成电路产业正在加速整体崛起。
智能手机市场强力拉升本土IC产业链：正在进行的移动终端革命对中国大陆集成电路产业链的发展意义重大。
智能手机市场对集成电路的意义不仅于此。随着工艺节点的演进，集成电路的设计制造成本不断提高。从32nm到16nm，设计成本的增加超过了1亿美元。在22nm工艺节点上，一条达到盈亏平衡的晶圆生产线投资需要高达80亿美元～100亿美元。到16nm工艺节点时，可能达到120亿美元～150亿美元。“如果没有足够庞大规模的应用市场给予支撑，企业是很难生存的。就目前应用市场来看，可穿戴设备与物联网前景看好，但这些市场呈现细分化、碎片化的特点，给方案提供商带来挑战。智能手机在未来一段时间内仍将是最主要的集成电路应用市场，对产业的带动巨大。”梁新夫说。
最重要的是，目前中国大陆手机厂商正在快速成长。在全球前五大手机制造商中，三星这一年第二季度智能手机出货量为7430万部，比上一年同期的7730万部下降3.9%，所占市场份额也从上一年同期的32.3%下降至25.2%;与此同时，苹果智能手机出货量为3510万部，比上一年同期的3120万部增长12.4%，但所占市场份额却从上一年同期的13.0%下降至11.9%。而排名第三的华为，这一年第二季度智能手机出货量为2030万部，比上一年同期的1040万部增长95.1%，所占市场份额也从上一年同期的4.3%增至6.9%;排名第四的联想，这一年第二季度智能手机出货量为1580万部，比上一年同期增长38.7%，所占市场份额从上一年同期的4.7%增至5.4%;“中华酷联米”等中国本土手机制造商已对全球其他对手形成更大压力。“中国手机厂商的成长为中国本土智能手机芯片产业链的发展提供了基础。一批本土IC设计公司，展讯、联芯科技、锐迪科等智能手机芯片设计企业，全志科技、瑞芯微等平板电脑芯片设计企业，瑞声科技、歌尔声学、美新半导体等MEMS传感器企业，因此受益并成长壮大起来。这些设计企业的发展又将给本土制造、封装企业带来更多的机会。”梁新夫表示。
产业链打通 IC实力整体提升：中国大陆完全可以大批量承接智能手机等应用的高端集成电路产品加工业务。
从模拟到数字、从固定到移动、从窄带到宽带、从TDM到IP，移动通信技术一路变革，出现了许多重大创新和技术突破。未来，智能手机芯片仍将出现许多新的发展趋势，处理性能越来越高、芯片尺寸越来越小型化、薄型化等。与之相应，芯片制造封装环节也必须采用大量新的技术加以实现。

②手机射频IC产业：唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司（证券简称：唯捷创芯证券代码：834550）今天获批通过协议转让的方式在全国股转系统（简称：新三板）挂牌公开转让。2015年11月24日其挂牌资料已在股转公司官网公开披露。
公开资料显示，唯捷创芯（天津）电子技术股份有限公司于2010年在天津经济技术开发区注册成立，主要从事射频与高端模拟集成电路的创新设计、生产与销售。在天津、北京、上海、深圳、苏州、香港等地设有研发或运营机构。
经过过去5年的耕耘，唯捷创芯已成长为国内首屈一指的专业射频集成电路设计企业，也是目前唯一大规模量产2G、3G、4G所有标准射频前端产品的国内公司。公司的产品主要应用于各种制式的手机和平板电脑中，产品涉及的网络制式包括GSM、CDMA、TD-CDMA、WCDMA、TDD/TDDLTE等，产品品质得到国内众多品牌客户的认可。
公告显示，2013年、2014年、2015年1-4月公司营业收入分别为3.40亿元、4.67亿元和1.41亿元；报告期内，公司95%以上主营业务收入来自2G和3G产品。2014年，公司开始研发4G产品。
2015年6月4日，唯捷创芯正式宣布向市场推出最新一代的射频前端产品组合。产品应用于4G移动通讯，包含2套组合，分别支持3模和5模的4G移动通信终端应用，符合MTK的4G通信平台定义的phase2射频前端标准。4G产品的推出将为公司业务收入提供新的增长点。公司在推出应用于4G新产品的同时，也宣布了一系列应用于3G手机的新型射频前端产品以及独立开关产品，这些产品都同样符合MTK最新phase2标准。
作为一家Fabless模式的专门从事IC设计的企业，唯捷创芯特别重视自主知识产权技术的研发，公司研发技术人员占总人数的近50%。至今唯捷创芯已经有二十多项集成电路相关的专利及布图设计专有权，并对所有Vanchip品牌产品都拥有完整的自主知识产权。
随着无线通信技术向4G、5G的持续演进，作为整体技术门槛较高的半导体产品，射频前端的重要性越发突出。希望在国家推动集成电路产业进步的春风下，唯捷创芯能继续不懈努力，早日成长为中国本土的世界级射频集成电路设计企业。
③4G时代手机射频IC封装：从2009年12月到2014年1月，全球有101个国家/地区共264个LTE网络投入商业运营。预计未来五年将有几乎同样多数量的LTE网络投入运营，LTE网络将会覆盖全球64%的人口。同时，据市场调研公司预计，未来五年智能手机的高端市场会趋近饱和，年均复合增长率会小于5%；但由于存在替换原来功能机的需求，中低端智能手机市场会仍然以大于20%的速度增长；因此，智能手机总的出货量会以约15%的速度增长，但每个设备的RF含量会以更快的速度增长。
滤波器需求增长：由于4G LTE的出现，使得频段越来越多，频段越多就会导致智能手机的设计复杂性越来越大；加上频谱资源是一个非常稀缺的资源，特别是在北美和欧洲地区，频谱非常拥挤，这样就一定会增加滤波器的复杂性。TriQuint中国区移动产品销售总监江雄在9月份IIC期间的一次主题演讲中表示，“LTE的采用将会推动RF总体有效市场（TAM）大幅增长。”
他指出，未来几年，高性能滤波器会以年均复合增长率40%~50%的速度增长。他强调，这里的高性能滤波器主要指体声波（BAW）和温度补偿声表面波（TC-SAW）这两种滤波器。

智能手机中的高级滤波器需求会持续增加，从图2中我们可以看到移动设备中的RF器件发展主要有三个趋势：一是功率放大器市 场是从持平到缓慢下降，江雄认为这主要是因为宽带放大器的应用造成的；二是CMOS开关和调谐元件会稳步增长，调谐元件目前很多手机没有，但以后的手机基 本都会具备；三是滤波器的增长是非常迅速的。他认为这后面的原因比较多，但最主要的是频带扩散、载波聚合和分集接收/WiFi。

其实滤波器技术经历了不同的发展阶段，据江雄回忆，十几年前的SAW滤波器还是陶瓷封装的，陶瓷封装很坚固，也很耐用；后来日本的村田将它做成了塑料封装。 再后来发展成现在的WLP封装。这种晶圆级的封装是以BGA技术为基础，是一种经过改进和提高的CSP。有人又将WLP称为圆片级-芯片尺寸封装。圆片级 封装技术以圆片为加工对象，在圆片上同时对众多芯片进行封装、老化、测试，最后切割成单个器件，可以直接贴装到基板或印刷电路板上。它使封装尺寸减小至 IC芯片的尺寸，生产成本大幅下降。
“众所周知，智能手机厂商对成本都比较敏感，一般都会尽可能降低制造成本。同样，如果滤 波器的成本过高，肯定会提高手机厂商的成本。而在整个滤波器的成本中，所占比重最大的可能很多人都猜不到是哪一部分。”江雄在演讲中表示，“其实滤波器里 面部分的成本并不高，最高的部分在于封装，对于陶瓷封装来说，封装的成本占整个滤波器成本的50%左右，塑料封装的成本占85%以上。而现在的WLP封装 成本很低，使得滤波器的成本一下就降下来了。”
“这是一种颠覆性的技术。”他抑制不住自己的兴奋。说到Tri Quint在中国市场上的表现，他自豪地表示：“目前中国市面上能见到的LTE手机，基本上都有使用我们的BAW滤波器。2014年的滤波器产量大于10亿，是全球成长最快的滤波器制造商。”
射频功率放大器的不同工艺对比：载波聚合、多频带和严格的系统指标将会持续推动射频前端的集成趋势，提高集成度可以克服LTE RF的挑战。TriQuint也推出过不少集成化的产品。但说到集成，不得不提高通的RF360射频前端解决方案，该方案是一个高度集成的射频前端，基本 整合了调制解调器和天线之间的所有基本组件，包括：集成天线开关的射频功率放大器、无线电收发器、天线匹配调谐器和包络功率追踪器。使用该方案能够简化和 解决蜂窝前端面临的众多复杂挑战。这个解决方案是基于SOI CMOS工艺的，其实到目前为止它的性能指标还是没办法跟GaAs技术相比。江雄表示，GaAs在性能上有更好的优势，如果同样是使用GaAs技术的话， 效果可以有60%的提升。他同时还指出了CMOS技术一个比较很大的“痛点”，那就是成本较高，利润很不理想。

在狄松看来，“未来几年，我们预计LDMOS还将继续占领市场主流。但我们同时看到，在一些高频段应用领域（比方说3.5GHz或更高频段），由于GaN的性能优势，对于效率要求较高的项目，GaN的方案会被应用在其中进行补充。”
另外，他还认为随着5G的推出和标准的逐步明确，各个器件供应商会推出集成度较高的器件，如RFIC等。如果频段较高，如工作在10GHz以上的频段，功放 可能会采用GaAs，GaN或更新的技术材料器件。对此，他觉得主要原因是因为用于手机上的射频功率放大器输出功率较小，相对基站功放来说，单芯片比较容 易满足多频段和多制式的要求。
总结：随着LTE的出现，智能手机需要支持的频段越来越多，给手机的设计带来了更大的难度，需要的射频器件也变得越多。这个必将促使射频厂商提供更多集成度更高、性能更好的产品。而未来哪种射频技术最合适，还需要市场的检验，就目前来说低成本的射频技术更加受手机厂商青睐。
（5）PC领域先进封装：
①产业近况：2015年受到需求面不振、持续供过于求的影响，DRAM价格呈现显著衰退，尤其以标准型内存最为明显。TrendForce旗下存储事业处DRAMeXchange调查显示，在寡占市场型态下，虽然小幅供过于求且价格持续下滑，各供货商生产仍保持纪律，未有明显新增产能，因此延续2013年与2014年态势，这一年DRAM各厂仍维持全面获利。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2016年虽然受惠于智能手机及服务器的需求影响，单机搭载容量会有显著提升，但各项终端产品仍难有爆发性的发展。
DRAMeXchange预估2016年整体DRAM需求增长约为23%，供给位元成长约为25%。市场仍维持小幅供过于求，DRAM单价持续下滑，各家获利能力将大幅取决于制程转进所带来的成本下降以及产品组合的调配。
2016年DRAM产业趋势分析如下：年度位元产出来自20纳米制程转进，晶圆投片量大约持平。吴雅婷表示，DRAM属寡占市场型态，各供货商在产能的扩张上皆有所节制，相较仍处于完全竞争市场型态的NAND Flash健康许多。2016年的位元产出主要是来自于SK海力士与美光半导体20/21纳米的转进，晶圆产能上，除三星的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新厂M14会陆续启用之外，2016年DRAM总投片量与2015年呈现持平。
DDR4正式取代DDR3成为市场主流：随着市场需求转变以及20纳米逐渐成熟，DDR4的生产比例越来越高。2015年由于Intel平台支持度的问题，DDR4的导入主要发生在服务器端，并且已经率先在第四季取代DDR3成为主流。DRAMeXchange预估，个人计算机（PC）/笔记本电脑端由新平台Skylake开始采用DDR4，将会在2016年第二季起放量，成为主流解决方案。
行动式内存与服务器内存生产比重持续提升：智能手机受惠于20nm制程产出的LPDDR4普及度越来越高，高端旗舰机型（除苹果以外）以3GB/4GB为标准规格。吴雅婷指出，2016年第二季起就会有单机DRAM搭载容量上达6GB的机型问市，大幅增加行动式内存的需求动能。服务器内存亦然，受惠于20nm制程产出的DDR4普及度升高，在高容量32GB/64GB组件成本降低，促使厂商策略性调降价格以刺激需求，有助于服务器内存生产比重提升。

3.TSOP封装：TSOP（ThinSmallOutlinePackage）封装如图3，即薄型小尺寸封装。TSOP内存是在芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面。TSOP封装外形尺寸时，寄生参数(电流大幅度变化时，引起输出电压扰动)减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高。同时TSOP封装具有成品率高，价格便宜等优点，因此得到了极为广泛的应用。

TSOP封装方式中，内存芯片是通过芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，使得芯片向PCB办传热就相对困难。而且TSOP封装方式的内存在超过150MHz后，会产品较大的信号干扰和电磁干扰。
③NAND闪存产业现状：
1. 三星业内首先量产3bit 3D V-NAND闪存
全球先进半导体技术领军品牌三星电子今天宣布已经开始量产用于固态硬盘的业内首个3bit MLC 3D V-NAND闪存。
三星电子存储芯片营销部门负责人韩宰洙高级副总裁表示：“通过推出一条全新的高性能高密度固态硬盘产品线，我们相信3bit V-NAND将会加快数据存储设备从传统硬盘向固态硬盘的转换。固态硬盘产品的多样化，将加强三星产品的市场竞争力，进一步推动三星固态硬盘业务的发展。”
3bit V-NAND闪存是基于三星第二代V-NAND芯片技术的最新产品，每片闪存芯片由32层垂直堆叠的存储单元组成，单片闪存的存储容量可达128Gb。利用三星独有的3D电荷捕获型栅极存储单元结构技术(3D Charge Trap Flash),各个存储单元把电荷存储在绝缘体中，并通过存储单元阵列一层接一层地向上垂直堆叠，制造出含有数十亿个存储单元的芯片。
该款产品单个存储单元容量为3bit，每片芯片存储单元阵列垂直堆叠32层，因而大大提高了生产效率。与三星的10纳米级3bit平面闪存相比，新推出的3bit V-NAND立体闪存的晶圆生产效率提高了一倍以上。

除此之外，三星电子推出了基于第二代V-NAND闪存的高端固态硬盘系列产品，并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多种容量选择。三星电子在上一年面向数据中心推出基于三维V-NAND的固态硬盘之后，此次则开始进入高端电脑市场，从而进一步扩大了V-NAND产品的市场份额。
三星电子存储芯片事业部战略营销部门负责人全永铉副总裁表示：“通过推出覆盖数据中心和高端电脑市场的一系列V-NAND固态硬盘产品，我们进一步拓展了三维V-NAND产品的用途。而今后也将继续为全球的IT用户及时地提供稳定，高性能和高密度的V-NAND固态硬盘和芯片，以促进市场快速采用三维NAND闪存技术。”

芯片组：（chipsets）（pciset) ：分为南桥SB和北桥NB。
南桥：即系统I/O芯片（SI/O）：主要管理中低速外部设备；集成了中断控制器、DMA控制器。
功能：
1） PCI、ISA与IDE之间的通道。
2） PS/2鼠标控制。（间接属南桥管理，直接属I/O管理）
3） KB控制（keyboard）。（键盘）
4） USB控制。（通用串行总线）
5） SYSTEM CLOCK系统时钟控制。
6） I/O芯片控制。
7） ISA总线。
8） IRQ控制。（中断请求）
9） DMA控制。（直接存取）
10） RTC控制。
11） IDE的控制。
南桥的连接：
ISA—PCI
CPU—外设之间的桥梁
内存—外存
北桥：系统控制芯片，主要负责CPU与内存、CPU与PCI-E之间的通信。掌控项目多为高速设备，如：CPU、Host Bus。后期北桥集成了内存控制器、Cache高速控制器；
功能：
① CPU与内存之间的交流。
② Cache控制。
③ AGP控制（图形加速端口）
④ PCI总线的控制。
⑤ CPU与外设之间的交流。
⑥ 支持内存的种类及最大容量的控制。（标示出主板的档次）
发展史：
（1）南桥芯片：南桥芯片（South Bridge）是主板芯片组的重要组成部分，一般位于主板上离CPU插槽较远的下方，PCI插槽的附近，这种布局是考虑到它所连接的I/O总线较多，离处理器远一点有利于布线。相对于北桥芯片来说，其数据处理量并不算大，所以南桥芯片一般都没有覆盖散热片。南桥芯片不与处理器直接相连，而是通过一定的方式（不同厂商各种芯片组有所不同，例如英特尔的英特尔Hub Architecture以及SIS的Multi-Threaded“妙渠”）与北桥芯片相连。
南桥芯片负责I/O总线之间的通信，如PCI总线、USB、LAN、ATA、SATA、音频控制器、键盘控制器、实时时钟控制器、高级电源管理等，北桥负责CPU和内存、显卡之间的数据交换，南桥负责CPU和PCI总线以及外部设备的数据交换。
Intel：英特尔的加速中心架构（Accelerated Hub Architecture，缩写AHA）首次出现在它的著名整合芯片组i810中。在i810芯片组中，英特尔一改过去经典的南北桥构架，采用了新的加速中心构架。加速中心架构由相当于传统北桥芯片的GMCH(Graphics & Memory Controller Hub，图形/存储器控制中心）和相当于传统南桥芯片的ICH(I/O Controller Hub，I/O控制中心），以及新增的FWH(Firmware Hub，固件控制器，相当于传统体系结构中的BIOS ROM）共3块芯片构成。
在这种新的加速中心架构中，两块芯片不是通过PCI总线进行连接，而是利用能提供两倍于PCI总线带宽的专用总线。这样，每种设备包括PCI总线都可以与CPU直接通讯，Intel 810芯片组中的内存控制器和图形控制器也可以使用一条8bit的133MHz“2×模式”总线，使得数据带宽达到266MB/s，它的后续芯片组i8xx也大多采用这种架构。

然而，分立通道设计也有其缺点。PCI总线与Hub Link或V-Link通道之所以一个时间内只允许一个设备传输数据，是因为只有一条线路，而且传输时采用的频率固定。如果采用分立的通道则可以较好地解决这个问题，虽然在DMA的内存一端，一个时间还是只能为一个设备服务，但服务完后不必等待总线清空，即可立即为下一个设备服务，而其他设备（可以是一个或多个）的数据请求可不干扰当前设备的工作而发送至内存控制端（相信会有一个针对这8个设备的队列寄存器来对任务进行排序），在数据传输完后立刻执行下一任务，从而有助缩短设备和系统的等待与延迟时间，变相提高了每一设备的数据传输率。从这一点来说，Multi-Threaded I/O Link的设计对多任务操作有利。

1、企业填写“企业信息反馈表”确认订购意向;
2、由我方出示合同样本，双方确认合同条款即可签署达成合作；
3、双方按照合同条款约定订购方按合同约定金额汇入我方账户;
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