目前，中国拥有全球最大且增速最快的半导体消费市场，但我国国产设备及配套装备的国产化率仍较低，同时基于我国对电子信息安全的考虑，具有较强的进口替代需求。巨大的下游市场配合积极的国家产业政策与资本引导，共同推动我国半导体设备国产化稳步进行，为中国设备厂商创造了机遇。

中金企信国际咨询公布的《中国半导体级单晶硅炉行业市场深度调研及投资规划指导可行性预测报告（2022版）》

1、半导体级单晶硅炉：作为半导体产业链上游支撑产业的基础和起点，晶体生长设备只有生长出合格的晶体，才可以进行后续的切磨抛等工序，其重要程度不言而喻。

半导体制造主要环节分析

以硅片制备为例，半导体级单晶硅炉主要应用于硅片制造的晶体生长环节，也是芯片制备的起点。晶体生长过程主要为将沙子、矿石中的二氧化硅经过纯化，制成纯度98%以上的硅；高纯度硅经过进一步提纯变为纯度达9N（99.9999999%）至11N（99.999999999%）的超纯多晶硅；超纯多晶硅在晶体生长设备中的石英坩埚内熔化，放入籽晶确定晶向，经过单晶生长，制成具有特定电性功能的单晶硅锭。再通过切片、研磨、抛光等硅片制造工艺得到硅片。

硅片制备流程分析

晶体生长是动态的过程，坩埚内的硅被单晶炉加热后变成熔体，通过籽晶与熔体表面接触并在旋转过程中缓慢拉起，熔体上的液体会因表面张力而提高，籽晶上的界面散发热量并向下朝着熔体的方向凝固，进而形成晶锭。

直拉法单晶硅生长工艺分析

半导体级硅片制造需严格控制晶体的微缺陷，同时进一步提高产出良率，以降低晶体生长成本。由于晶体生长是一个复杂的多物理场强耦合系统，生长原理涉及多学科交叉，通常在高温、高真空及工艺气氛状态中运行，生长过程动态变化并时刻伴有复杂的物理作用及化学反应，为控制晶体的微缺陷，需对设备内的气流、气压、晶体生长工艺参数（如籽晶及坩埚的转速及拉晶速度等）、热场温度梯度、液面距、设备设计的合理性、真空密封性及传动机构等多重因素精密控制，以保证晶体品质。