报告发布方：中金企信国际咨询《2024年全球及中国IGBT行业市场分析、厂商竞争与未来展望-中金企信发布》

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1）IGBT行业介绍

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。

IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

IGBT根据其电压等级的不同，可分为低压、中压和高压三大类：

IGBT在使用中高度重视散热性和可靠性，因此封装环节至关重要。根据应用场景和对性能要求的不同，可将IGBT功率模块分为消费级、工业级和车规级。与消费级和工业级半导体相比，车规级半导体对产品的可靠性、一致性、安全性、稳定性和长效性要求较高，具体区别如下所示：

2）应用领域

应用领域方面，根据中金企信统计数据，2020年我国IGBT在新能源汽车的应用占市场价值的28%，仅次于工业控制领域。在新能源市场持续爆发的带动下，新能源应用有望成为我国“十四五”IGBT需求增长最大的下游驱动力。预计，2025年IGBT在新能源汽车应用市场占比将超过工业控制应用，成为我国IGBT第一大应用市场。 

数据整理：中金企信国际咨询

3）市场规模与竞争格局

IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。

全球市场规模方面，根据中金企信统计数据，全球IGBT功率模块市场规模在过去几年中保持持续增长，从2017年的46.8亿美元增长至2021年的70.9亿美元，年均复合增长率10.9%。

数据整理：中金企信国际咨询

市场竞争格局方面，目前全球IGBT市场大部分份额被国外企业所占据，英飞凌是其中龙头。

数据整理：中金企信国际咨询

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