（1）半导体掺杂工艺是制造芯片的核心工序之一：PN结具有单向导电性，是晶体管和集成电路最基础、最重要的物理原理，所有以晶体管为基础的复杂电路的都离不开它。PN结是指通过采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（主要是硅）基片上，二者交界面形成的空间电荷区。P（Positive）型半导体是在硅中掺入Ⅲ族元素（如硼B），Ⅲ族元素相比Ⅳ族的外层电子少一个，这种缺少电子的空位被称为空穴，空穴能够导电；N（Negative）型半导体是在硅中掺入Ⅴ族元素（如磷P），V族元素相比Ⅳ族的外层电子多出一个，多出的电子能够作为导电的来源。

半导体掺杂工艺是芯片制造的核心工序之一，其目的在于控制半导体中特定区域内杂质元素（磷、硼等）的类型、浓度、深度，用以制作PN结。目前半导体掺杂工艺主要有离子注入工艺技术和扩散工艺技术两类。

离子注入工艺技术原理是利用离子源产生的等离子体，在低压下把气态分子借电子的碰撞而离化成离子，经过引出离子电极（吸极）、质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔体等高技术设备将掺杂元素注入到硅片中。离子注入工艺多用于制造集成电路芯片、SiC功率器件。

扩散工艺技术原理是将掺杂源与硅基片接触，在一定温度和时间条件下，将所需的杂质原子（如磷原子或硼原子）按要求的浓度与分布掺入硅片中。扩散艺技术相较于离子注入工艺技术操作方便，成本低廉，多用于制作功率半导体芯

片。

中金企信国际咨询公布的《2021-2027年中国膜状扩散源行业市场调研及战略规划投资预测报告》

（2）膜状扩散源具有一定的市场潜力：扩散工艺掺杂源主要有气态源、液态源、膜状扩散源三类。气态源和液态源是发展最早的扩散源，制备相对容易，但掺杂源可控性相对较弱，相应的制造芯片工艺相对固态源较为复杂；且两类源多为有毒物质，安全生产和环保要求较多。膜状扩散源是固态源，使用在扩散工序中，掺杂源更加可控，有利于掺杂的均匀性和稳定性，可大幅简化扩散工艺流程；且膜状扩散源自身及制造过程环保无害，便于运输和储存，芯片制造过程中也减少了有害物的产生。三类源优缺点对比如下：

膜状扩散源已经在功率二极管芯片生产中显现出其优势，在晶体管芯片、太阳能光伏电池片生产中也已开启应用，未来还可应用于硅基热敏电阻器芯片、硅基压力传感器芯片甚至部分集成电路芯片等领域。发行人生产的膜状扩散源产品包括膜状磷扩散源、膜状硼扩散源和中性隔离膜三大类，可用于各类型硅基功率二极管、晶体管、太阳能光伏电池片等器件的芯片制造。通常，膜状磷扩散源或膜状硼扩散源被夹在两张硅片之间使用。替换传统气态源、液态源和替代进口是国内企业膜状扩散源业务的未来发展方向。