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(1)微波瓷介芯片电容器行业基本概述:微波瓷介芯片电容器是陶瓷电容器的主要类别之一,采用光刻、磁控溅射的半导体薄膜工艺制备而成,具有微波特性优良、尺寸小、厚度薄、等效串联电阻低、损耗低等优点,应用频率可高达100GHz,而且适应微组装的键合工艺,成为雷达、微波模块和光电器件等军用和民用微波设备不可或缺的电子元件。
A.全球微波瓷介芯片电容器市场:近年来,移动通信技术从4G时代逐渐发展到5G时代,频段越来越高,支持的应用越来越丰富。5G时代的到来将搭建大量的宏基站和微基站,基站数量的快速增长将拉动微波瓷介芯片电容器的市场需求。同时,军用雷达、电子对抗设备等新型武器装备以及光通信器件等对微波瓷介芯片电容器的需求也呈现大幅增长态势。
根据中金企信国际咨询统计数据,微波瓷介芯片电容器2020年全球市场规模约为34.52亿元,同比增长13.00%。预计到2025年将达到70.31亿元,五年平均增长率约为15.30%。
全球微波瓷介芯片电容器生产企业主要集中在日本、美国、中国大陆以及洲,行业集中度较高。自从京瓷收购美国AVX后,日本以58.60%的市场份额在单层瓷介电容器行业占据霸主之位。美国排名第二,占比约为19.50%,欧洲在全球微波瓷介芯片电容器行业也占有一席之地。我国从事微波瓷介芯片电容器研发和生产的供应商主要有宏明电子、天极科技、宏达电子、振华云科等数家,相对于国际知名厂商生产规模均不大,其中宏明电子和天极科技,分别以3.10%和2.20%的市占率在全球市场取得一席之地。
2020年全球微波瓷介芯片电容器不同生产企业市场份额分析
数据统计:中金企信国际咨询
B.中国微波瓷介芯片电容器市场:近两年,在国内5G通信行业快速发展以及武器装备更新换代的双重拉动下,微波瓷介芯片电容器国内市场规模增长形势较好。据中金企信国际咨询统计,微波瓷介芯片电容器2020年国内市场规模达到10.50亿元,同比增长15.90%。预计2021年将达到12.42亿元,到2025年将达到24.27亿元,五年平均增长率约为18.24%,具体如下图所示:
数据统计:中金企信国际咨询
在现有产业规模下,我国本土微波瓷介芯片电容器生产企业仍有很大的国产化替代空间。在中国市场微波瓷介芯片电容器品牌厂商中,美日厂商占有率超过70%,主要是部分国内本土企业尚未突破上游晶界层型3类瓷的研发制备技术,而且量产技术积累不足。但国内微波瓷介芯片电容器骨干企业不断加大研发投入并积极扩产,本土企业不断通过技术创新,已在微波瓷介芯片电容器的关键材料——晶界层陶瓷材料的研发生产上取得重大技术突破,所制备的晶界层陶瓷材料的各项性能指标已可跟国外领先厂商相媲美,逐步抢占市场份额。
中金企信国际咨询公布的《全球及中国微波瓷介芯片电容器行业发展战略研究及投资前景可行性报告(2023版)》
(2)薄膜电路:社会经济发展和保障国家安全的战略性、基础性和先导性产业。混合集成电路是集成电路的重要门类,按照制作工艺不同,可分为厚膜混合集成电路、薄膜混合集成电路。薄膜混合集成电路更适合于要求精度高、稳定性能好的微波电路,主要应用于光通信、微波通信等领域。两者优缺点如下表所示:
A.全球薄膜集成电路市场:薄膜混合集成电路以其高精度及良好的稳定性用于微波电路,主要面向高端领域。近几年移动通信技术从4G时代逐渐发展到5G时代,频段越来越高。5G通信需要搭建大量的宏基站、微基站,基站数量的快速增长拉动光通信模块行业、工业互联网、安防监控领域等领域的发展,进而拉动这些领域对薄膜混合集成电路的需求。此外,随着自动驾驶商业化加速,将会极大拉动汽车对薄膜混合集成电路的需求。薄膜混合集成电路2020年全球市场规模约为161.92亿元,同比增长5.10%,约占全球混合集成电路市场规模的14.40%。预计到2025年,全球薄膜混合集成电路市场规模可达到237.63亿元,2020-2025年复合增长率约为7.50%,具体如下图所示:
数据统计:中金企信国际咨询
B.国内薄膜集成电路市场:国内薄膜混合集成电路发展较晚,相对厚膜混合集成电路生产的企业较少,主要为一些科研院所,2018年之前中国薄膜混合集成电路市场长期依赖进口,欧美品牌的薄膜混合集成电路产品占据中国市场绝大部分份额。2018年受中美贸易关系影响,国内下游企业认识到产品自主可控的重要性,开始积极寻求国内混合集成电路供应商,逐渐认可国内薄膜混合集成电路企业的品牌和技术实力。
薄膜混合集成电路2020年国内市场规模为32.16亿元,约占国内混合集成电路市场规模的12.30%,同比增长8.60%。随着国产化高速推进及国内下游微波市场的高速增长,预计到2025年国内市场规模可达到50.10亿元,2020-2025年复合增长率为9.27%,具体如下图所示:
数据统计:中金企信国际咨询
中金企信国际咨询公布的《全球与中国薄膜集成电路市场竞争格局分析及投资战略可行性评估预测报告(2023版)》
(3)下游市场应用现状:微波通信技术源于军工,具有波长短、频带宽、抗干扰、环境影响小等特点,在雷达探测、精确制导、电子对抗和卫星通信等国防工业领域应用广泛,随着技术成熟其应用逐渐拓展至5G通信、光通信等民用领域。
1、下游军用市场发展概况:十九大关于国防和军队建设三步走规划和目标中明确提出,要适应世界新军事革命发展趋势和国家安全需求,提高建设质量和效益,确保到2020年基本实现机械化,信息化建设取得重大进展,战略能力有大的提升。根据国家“十四五”规划纲要关于加快国防和军队现代化,要求贯彻新时代军事战略方针,加快机械化信息化智能化融合发展。实现军事装备信息化的必要条件是高水平、高可靠的军用电子元器件。军工电子行业作为六大军工产业集群之一,一直是我国科技创新规划和战略性新兴产业的重点关注领域,产业链涉及通信、导航、火力控制、雷达、指挥控制、电子对抗等多个方向。
随着我国国防装备支出的稳步增长及信息化建设的升级替换需求,军工电子领域的高速发展将带动微波无源元器件的快速发展,其下游细分应用领域的发展需求情况如下:
①雷达探测:军用雷达按照搭载平台可以分为陆基雷达、舰载雷达、机载雷达、弹载雷达、星载雷达、车载雷达、海基雷达等,军用雷达的国防工业领域已成为微波技术的典型应用。
近年来,我国军用雷达市场稳步快速增长,每年的同比增长率均高于10%,年均复合增长率为11.28%,预计至2024年,我国军用雷达市场规模将首次突破500.00亿元,2025年增长至565.00亿元,具体如下图所示:
数据统计:中金企信国际咨询
相控阵雷达是当前雷达的重点方向,目前有源相控阵逐渐成为主流,广泛应用于机载雷达和舰载雷达上。T/R组件是相控阵雷达的核心组件,预计T/R组件占相控阵雷达成本的50%左右,而微波无源元器件又是T/R组件的必要元器件。
受益于军队信息化建设的加快以及武器装备的升级换代,近些年来我国军用相控阵市场增长迅速。随着我国对有源相控阵雷达的需求增长,微波无源元器件将拥有广阔的市场空间。
②精确制导系统:制导武器是指安装有制导控制系统且命中概率和精确度较高的武器,具有杀伤力大、突防能力强、综合效益高等优势,是现代战争中的关键性武器。制导系统根据其制导方式可分为惯导类、卫星导航类、雷达微波类和光电类等。
根据中金企信国际咨询统计数据显示,随着全球政治局势复杂化,全球军事支出将迈入周期性增长,全球导弹产量将稳步增长,从2018年的39,943枚增长至2022年的40,041枚,导弹的产值从92.37亿美元增长至102.71亿美元。根据《防控导弹成本与防控导弹武器装备建设》,制导系统占据导弹制作成本的40%—60%。而微波无源元器件是雷达微波类制导系统的重要元器件之一,导弹需求增长将推动制导系统的市场规模扩大,其产业链上游的相关零部件需求亦随之增长,微波无源元器件亦将拥有广阔的市场空间。
③电子对抗:电子对抗是敌对双方为削弱、破坏对方电子设备的使用效能、保障己方电子设备发挥效能而采取的各种电子措施和行动,是争夺电磁频谱权的关键手段,主要形式有雷达对抗、无线电通信对抗、导航对抗、制导对抗、光电对抗和水声对抗等。根据中金企信国际咨询统计数据,2020年,全球电子战市场规模约为158.10亿美元,到2028年,预计其市场规模将达到235.60亿美元,年均复合年增长率为5.60%。雷达对抗、无线电通信对抗等电子对抗技术均建立在天线技术的基础上,天线是发射和接收电磁波的主要部件,因此微波元器件是电子对抗设备得以正常工作不可或缺的重要元器件。未来,随着我国国防军事信息化建设进程的加快,高性能微波无源元器件的市场需求将持续增长。
④军用卫星通信:随着现代武器装备机械化、信息化程度不断提升,国防建设对于军事通信网络的反应速度、信息传递准确性、通信容量、保密性和稳定性等要求逐步提高。其中卫星通信具有多址联接和很强的分配能力的特点,通信覆盖范围较大,不易受陆地灾害影响,同时能满足多处信号的即时接收和发送,快速、高效的实现信息的即时共享,已成为军事通信最为重要的发展方向。根据中国银河证券研究院的数据整理,中国军工通信市场未来将处于稳步增长趋势,预计于2025年增长至308亿元,年均复合增长率高达11.90%。
微波无源元器件是卫星通信设备的基础性电子元器件,其作用在于接收与发射信号时将二进制信号与高频率无线电磁波信号进行相互转换,主要应用于卫星设备、地面天线设备和终端武器装备等部分,是推动卫星通信技术革新的核心动力之一。随着卫星通信的规模化增长,微波无源元器件的市场需求相应增长,尤其是高射频、宽频带的微波无源元器件将受军事卫星通信的推动将实现高速发展。中国军事通信市场规模预测如下图所示:
数据统计:中金企信国际咨询
中金企信国际咨询公布的《微波无源元器件市场专项调研及投资前景可行性预测报告(2023版)》
(4)下游民用市场发展概况:
①5G通信领域:无线通信基站和移动终端使用了大量的元器件,微波无源元器件在5G领域的应用主要在无线通信基站,随着5G通信的逐步推行,微波无源元器件市场的需求大幅增长。
自2019年10月底5G正式商用以来,中国5G基站进入快速建设期。根据统计数据:2019年10月底至2019年底,中国共建设5G基站超13万个。截至2020年底,中国建设5G基站共计71.80万站,占据全球5G基站数量合计超100万站的70%以上。GSMA在2021年MWC上海展期间发布《2021中国移动经济发展报告》再次提到,2020年中国5G连接数超过2亿,占全球5G连接数2.35亿的87.00%,预计2025年中国5G连接数有望达8.22亿。
②光通信领域:光通信是指以光波为载波、以光纤为传输介质的通信方式,具有高带宽、耐高温、抗电磁干扰、信号串扰小低功耗等特点,目前已成为较为主流的信息传输方式之一。其中,光模块是光通信系统中完成光电转换的核心部件,而光电子通信器件是光模块的关键元件,包括激光器(TOSA)和探测器(ROSA),分别实现光模块在发射端将电信号转换成光信号,以及在接收端将光信号转换成电信号的功能。近年来5G、物联网、大数据等新一代信息技术的迅猛发展,推动全球光电子通信器件产业整体水平不断提升。预测全球光模块市场未来数年预计将持续较高的增长率,预计2024年全球光模块市场规模将接近160亿美元。大数据时代的到来导致了数据流量的暴涨,使我国光通信行业也已进入全面升级阶段。
中金企信国际咨询公布的《2023-2029年全球及中国硅基电容器市场监测调研及发展战略可行性评估预测报告》
(5)所属行业在新技术、新产业、新业态、新模式等方面的发展情况及未来发展趋势:
1)下游军民用通信技术的发展为行业带来新的发展空间:随着智能制造、电子信息产业迅猛发展带来的国内基础电子工业飞速提升,将加快军工配套自主可控长期目标的推进落实。国防建设现已进入跨越式发展阶段,国家投入增长空间大。电子化、信息化、智能化和实战化的趋势带来武器装备对军工电子迫切的提升换代需求,军工电子系统均面临着从上游到下游的整体迭代替换趋势,未来将激活整个军工电子行业的市场空间。
在民用通信领域,微波技术的应用主要体现在通信基站建设和移动终端设备上。自2019年10月底5G正式商用以来,中国5G基站进入快速建设期。5G网络的发展使通信设备的应用频段逐渐进入毫米波区域,且5G网络应用的Massive MIMO技术也使微波通信模块数量将进一步增加。
2)高频化、小型化及轻量化是电子元器件的重要发展方向:无论是军用还是民用通信设备,均不断向高频化、小型化及轻量化方向发展,这就要求相关的电子元器件使用频率更高、尺寸更小、重量更轻。比如微波瓷介芯片电容器,其较多层陶瓷电容器,具有微波性能好、尺寸小、重量轻、适合微组装金丝键合技术等优点。
3)薄膜化是电子元器件发展的重点方向:电子元器件常用的生产工艺包括厚膜工艺和薄膜工艺。薄膜工艺生产的产品具有集成度最高、与IC工艺兼容、电路图形精度高、使用频率高、产品尺寸小等优点。因此,以薄膜工艺生产电子元器件是电子元器件的一个重要发展方向,如薄膜电路较厚膜电路具有线路精度更高、可加工的线路更精细、使用频率更高的优势。
4)微组装技术是高频通信技术领域的重要技术方向:表面贴装(SMT)技术和微组装技术是近年来电子行业主流的组装技术。其中,微组装技术(金丝键合或金带键合)是适用于电子设备高频化、高功率、超微型化的主要组装技术方向。
电子元器件的质量、水平和可靠性直接决定电子系统和整机产品的性能,随着通信设备向小型化、高频化、轻量化发展,电子元器件也逐渐向片式化、小型化、集成化方向发展。以引线绑定(键合)、倒装芯片为基础的微组装技术可以较好的适应该发展趋势,在电子产品封装技术领域中占据重要地位,成为高频通信技术领域的重要技术方向,适合于微组装技术的微波无源元器件也得以快速发展。
5)无源集成元器件技术是国内研究的重点技术方向:随着半导体制造能力的提升,生产水平已经从亚微米阶段进入到纳米阶段,主动式电子元器件的集成度随之大幅提升,相应的搭配主动式元器件的无源元器件的集成度需求也迅速增加。
电子产品中大量用到无源元件,包括电阻器、电容器和电感器等。近年来IC等有源器件的发展迅猛,而与之相配套的无源元件发展相对缓慢,成为制约电子设备小型化、集成化发展的瓶颈。
电子器件尺寸的进一步减小将依赖于芯片的系统封装及无源元器件的集成化,因此无源集成元器件技术的发展成为近年来国内外科研机构和企业研究的重点技术方向之一。
6)硅基电容器作为新兴电容器未来有较好的发展前景:
硅基电容器具有更高的自谐振频率(100GHz+)、更高Q值、低插损、高温度稳定性及高可靠性等特点,在航空航天、国防军工、能源、通信、自动化及医疗等领域已有相关应用,具有较好的市场发展前景。Murata公司的硅基电容器采用3D结构实现了器件的小型化和高容量密度,应用在心脏起搏器、除颤器等生命支持设备。
《发展规划》中也提到“加强产学研融合,加快硅电容器等采用半导体工艺的尖端电容器技术的研发和产业化进度”,未来硅基电容器作为新兴电容器具有较好的发展前景。